原标题：五大优势发力第三代半导体产业
来源：黑龙江日报
到2025年，力争在单晶材料生长、系统集成与应用技术方面达到国内先进水平；围绕产业链集聚50家以上创新型企业，新增产值100亿元以上，建设形成东北亚第三代半导体特色产业基地……于近日发布的《哈尔滨第三代半导体蓝皮书》高质量培育发展目标清晰而明确。
实现这一发展目标，哈尔滨底气何在？翻看《蓝皮书》，答案清晰可见。发力第三代半导体产业，哈尔滨具有五大优势，即雄厚的科研基础、领军企业的技术、丰富的应用场景、对俄合作的区位优势及巨大的发展优势。
优势决定方向，成就目标。哈尔滨将从高端装备与关键材料重要基地、创新应用示范区、高端科教创新资源集聚区、开放合作先行区四方面要发展。
高端装备与关键材料重要基地方面，充分利用哈尔滨已有装备制造、新材料、电子信息等产业基础和优势，聚焦碳化硅衬底材料生长及加工，氮化铝、金刚石等宽禁带、超宽禁带半导体材料制备关键技术，以及高品质石墨材料、蓝宝石衬底、封装材料等关键电子材料及相关装备制造，突破关键核心技术、加快成果本地转化、培育引进创新型企业，以打造高端特色产业集群为目标，形成特色产业基地。
创新应用示范区方面，围绕电力电子、光电子等应用方向，选择新能源汽车（含充电桩）、新能源发电、光农业等典型应用场景，开展第三代半导体芯片器件应用示范工程，以绿色、节能为重点，通过试点示范，加速技术和产品迭代，拓展应用新领域，带动传统制造业转型升级，以应用需求吸引企业集聚、带动本地产业链完善升级，建设创新应用示范区。
高端科教创新资源集聚区方面，以哈尔滨深厚的科教创新资源为依托，重点突破第三代半导体前沿引领关键技术，强化应用基础研究，协同推进现代工程技术创新，推动重大科技成果成熟化、产业化，抢占第三代半导体产业技术创新制高点，积极融入国内外创新链，将哈尔滨打造成为创新资源集聚、创新平台多样、创新生态完善的第三代半导体创新资源集聚区。
开放合作先行区方面，立足哈尔滨在中俄合作的优势和广泛基础，主动融入国家“一带一路”建设，加强中俄、中乌在材料生长、装备制造、器件研发等领域的深度合作，强化人才引进和交流培养，共建海内外研发创新孵化平台，吸引培育一批具有较高技术水平和良好市场前景的企业。以亚欧第三代半导体科技创新合作中心中俄分中心等平台为依托，为产业链上中下游国内企业开展对俄合作提供支撑和服务，打造具有哈尔滨特色的开放合作先行区。
瞄准四大定位，敲定发展目标。到2025年，力争在单晶材料生长、系统集成与应用技术方面达到国内先进水平，在高纯原材料、高品质辅材、特色封装等技术和产业化方面取得突破。将哈尔滨打造成为第三代半导体技术和产业特色鲜明、产业布局和集群效应突出、技术创新成果显著、辐射带动能力强、成果转化和溢出效益大，国内最具特色的第三代半导体创新策源地、产业集聚区和开放合作先行区。构建起跨学科、跨领域的协同创新平台体系和创新联合体，围绕产业链集聚50家以上创新型企业，新增产值100亿元以上，研究制定产业标准规范20项，建设形成东北亚第三代半导体特色产业基地。
